伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响

发布时间：2017-06-20 02:09

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【摘要】：研究了伽马(γ)射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad(Si)、35 krad(Si)、50 krad(Si)总剂量的γ射线辐照,对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad(Si)以下剂量照射下,硅光电二极管暗电流及光谱响应度均未发现明显的变化,在50 krad(Si)剂量照射下,参试样品出现暗电流增加的现象,但该变化在定标器应用过程中带来的影响可以忽略。试验结果表明,参试的硅光电二极管在空间辐照环境下具有良好的稳定性及可靠性,可以作为在轨定标器可见波段探测单元备选器件。
【作者单位】： 中国科学院安徽光学精密机械研究所;中国科学技术大学;
【关键词】： 伽马射线辐照 硅光电二极管 暗电流 光谱响应度
【基金】：中国科学院重点项目(KGFZD-125-13-006)
【分类号】：TN312
【正文快照】： 0引言遥感技术的发展经历了由判断有无到精确量化的过程,对卫星遥感数据的定量化要求不断提高。发射前定标、星上定标以及在轨替代定标是保证遥感定量化精度的主要途径。星上定标可以在空间平台上实时、高效地对遥感器性能进行在轨跟踪测量,是遥感器全过程定标的重要环节,对遥

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