碳化硅MOSFET电热耦合模型及分析

发布时间：2017-06-20 04:04

  本文关键词：碳化硅MOSFET电热耦合模型及分析，，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅Si C(silicon carbide)功率器件在实际工况下的结温变化,针对Si C MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法。该方法能更好地反映Si C MOSFET在导通和开关过程中的性能特点,模型从器件物理分析和工作机理出发,将功率损耗和热网络模块引入建模,实时反馈器件结温和更新温度相关参数。采用CREE C2M0160120D Si C MOSFET器件进行测试,根据制造商数据手册和测试实验中提取,仿真结果证实了该建模方法的正确性,为器件的寿命预测和可靠性评估提供了研究基础。
【作者单位】： 湘潭大学信息工程学院;
【关键词】： 碳化硅 MOSFET 电热耦合 Matlab/Simulink
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51207134)~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： 引言 近年来,随着变流器的功率、频率的不断提升,传统硅Si(silicon)材料本身物理性能的缺陷逐渐显现。为满足高效率和高功率密度的社会需求,Si C MOSFET器件受到越来越多的关注[1-2]。然而,对于Si C MOSFET来说,大容量高压高频的应用场合对 其可靠性提出了更高的要求。现有

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本文编号：464482