碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展

发布时间：2017-06-24 21:01

  本文关键词：碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。
【作者单位】： 清华大学微电子学研究所;
【关键词】： 碳化硅 门极可关断晶闸管(GTO) 结终端(JTE) 阻断电压 少子寿命
【分类号】：TN34
【正文快照】： 0引言门极可关断晶闸管(gate turn-off thyristors,GTO)是一种用于控制大电流的功率开关,其可以提高开关速度、降低功耗以及控制电路的复杂度,被广泛应用于智能电网和轨道交通等领域。近年来,由于微电子工艺技术的进步和Si材料特性的限制,Si GTO器件的性能接近了其理论极限,已

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1 高玉民;非对称晶闸管的阻断电压[J];西安理工大学学报;1995年01期

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本文编号：479461