基于碳化硅MOSFET的99.2%高效率功率因数校正器

发布时间：2017-06-26 12:09

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【摘要】：半桥功率因数校正PFC(power factor correction)拓扑由于其具有较少的电流回路器件数,因而导通损耗小、效率高。但是,该拓扑中开关器件电压应力大,因此如果选用高压的IGBT作为开关器件,则开关损耗很大。新型的碳化硅MOSFET由于兼顾了高耐压与低通态电阻,其具有较小的开关损耗,可以降低开关损耗,尤其是关断损耗。但由于高频工作时其开通损耗仍然较大,严重制约变换器效率的提高。因此,利用碳化硅MOSFET优良的开关特性,采用电感电流三角波模式(TCM)的控制方式,使器件工作在零电压开通状态下,进一步降低开关损耗。针对这种控制方式,详细叙述了各个关键参数的计算,并设计搭建了一台1 100 W的全碳化硅半桥功率因数校正变换器,其达到了较高的效率,峰值效率达到了99.2%。
【作者单位】： 浙江大学电气工程学院;
【关键词】： 高效率 碳化硅器件 电流三角波模式(TCM) 零电压开通
【基金】：浙江省自然科学基金资助项目(LY14E070005) 国家自然科学基金资助项目(51522704,51477154)~~
【分类号】：TM46;TN386
【正文快照】： 引言传统桥式Boost型功率因数校正PFC(powerfactor correction)拓扑是由前端二极管整流桥和后级Boost结构构成,其电流流经回路上存在3个半导体器件,其中有2个是在前端整流桥上,这导致了整流桥上存在较大的导通损耗,限制了PFC整流器效率的提高。为了提高PFC整流器的效率,减少桥

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本文编号：486081