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6500V超高压、大电流IGBT芯片的工艺研究

发布时间:2017-06-28 13:09

  本文关键词:6500V超高压、大电流IGBT芯片的工艺研究,,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】:为了突破轨道交通、智能电网用等超高压IGBT的技术瓶颈,上海先进半导体联合中车集团下的上海北车永电和西安永电共同开发了6 500V超高压IGBT芯片。IGBT芯片的关键性技术主要包括场截止技术、终端保护技术、背面工艺,以及背面图形技术的研究。6 500V/25A IGBT芯片产品通过了中车集团的产品鉴定,完成了大于10万公里的铁路试运行。
【作者单位】: 上海先进半导体制造股份有限公司;
【关键词】绝缘栅双极型晶体管 IGBT 超高压器件 V
【分类号】:TN322.8
【正文快照】: 1引言 超高压、大电流IGBT在轨道牵引、智能电网等领域具有广泛的应用。在轨道牵引应用中,6 500VVIGBT作为关键的电学元件,被用在逆变、斩波,以及整流等变流装置中。但是,超高压IGBT同传统的半导体器件相比,其工艺技术具有极大的难度。目前我国的超高压IGBT市场主要被英飞凌

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