IGBT模块开关损耗计算方法综述

发布时间：2017-06-28 14:00

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【摘要】：IGBT模块开关损耗计算方法有基于物理方法的损耗计算法和基于数学方法的损耗计算法。基于物理方法的损耗计算是采用软件仿真的办法建立相应的物理模型得到开关动态波形,计算损耗;基于数学方法的损耗计算是采用各种数学的方法建模,计算损耗。对各种开关损耗计算法进行讨论,并给出其相应的优缺点。
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【关键词】： IGBT模块 开关损耗 损耗计算 损耗模型
【基金】：国家科技支撑计划(2015BAA09B01) 国家自然科学基金资助项目(51377044) 河北省科技计划项目(14214503D,13214303D)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 0引言绝缘栅型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是由MOSFET和功率双极型晶体管复合而成的一种器件。IGBT既具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性,又有功率双极型晶体管(BJT)的低饱和电压特性及易实现较大电流的能力,在工业、能源、交通等场合越来越不可取代[1]

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

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【共引文献】

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3 吴凤U

本文编号：494056