碳化硅基片上螺旋电感建模

发布时间：2017-07-03 22:10

  本文关键词：碳化硅基片上螺旋电感建模

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【摘要】：在射频集成电路设计中,片上螺旋电感应用非常广泛。对于GaN器件,由于其单晶制备困难,无法进行同质外延,选用SiC作为GaN器件衬底是较为理想的选择。本文将针对SiC衬底进行片上螺旋电感建模,基于Enhance 1-p等效电路模型,可缩放模型中所有集总元件均用与电感的物理尺寸相关联的方程表示,并能准确表征使用同一工艺制造但不同尺寸射频螺旋电感的电性能。对一批具有不同电感值、圈数、线宽、间距、内径的方形螺旋电感进行仿真验证,结果表明,在谐振频率或20GHz以下,等效电路模型的S参数计算值可以很好的吻合电磁仿真结果,幅度相对误差小于10%,相位绝对误差小于5度。
【作者单位】： 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室;
【关键词】： GaN工艺 螺旋电感 等效电路模型 可缩放模型
【分类号】：TM55;TN402
【正文快照】： 引言平面螺旋电感作为基本的电路模块被广泛的应用在射频电路器件中,如混频器,倍频器等,其性能的好坏左右着成品器件的性能。通常,电路的仿真设计中,螺旋电感会采用等效电路的形式进行替代,在不影响电感精度的前提下以减少如HFSS等电磁场仿真工具的仿真时间,提高仿真效率,便于

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