铜箔表面形貌对CVD法生长石墨烯质量的影响

发布时间：2017-07-19 13:28

  本文关键词：铜箔表面形貌对CVD法生长石墨烯质量的影响

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【摘要】：为了制备高质量、少层数的石墨烯薄膜,分别用25%HCl、2 mol/L FeCl_3腐蚀液及电化学抛光法处理铜箔,改善其表面平整度,然后利用化学气相沉积法在其表面生长石墨烯。通过调整2 mol/L Fe Cl3腐蚀铜箔的时间和电化学抛光铜箔的参数,根据SEM表征结果确定出腐蚀时间为30 s,抛光电压为10 V,抛光时间为60 s时,铜箔表面最为平整。这些方法处理铜箔后生长的石墨烯经拉曼光谱表征后得出,随着铜箔表面逐渐平整,铜箔表面更易生长出少层数,高质量的石墨烯薄膜。实验中还通过调整化学气相沉积(CVD)炉中通乙烯的时间来制备石墨烯。经SEM和拉曼光谱表征可知,延长生长时间,石墨烯薄膜的层数变厚,生长时间过短则石墨烯生长不连续。生长时间为30 s时,可生长出单层高质量的石墨烯薄膜,且石墨烯薄膜均匀致密;生长时间为60 s时,铜箔表面沉积一层石墨。所以生长单层石墨烯,控制生长时间是必要的。
【作者单位】： 上海理工大学机械工程学院;上海理工大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 无机非金属材料 铜箔 石墨烯 化学气相沉积法 质量
【基金】：国家自然科学基金青年基金资助项目51301106~~
【分类号】：TN304.055
【正文快照】： Effect of Copper Foil Surface Morphology on the Quality ofGraphene Grown by CVDSONG Ruili1LIU Ping2**ZHANG Ke2LIU Xinkuan2CHEN Xiaohong21.School of Mechanical Engineering,University of Shanghai for Science and Technology,Shanghai 200093,China2.School of

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本文编号：563179