复杂数字电路中的单粒子效应建模综述

发布时间：2017-07-20 09:00

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【摘要】：单粒子效应产生的软错误是影响航天电子系统可靠性的主要因素之一。对其进行建模是研究单粒子效应机理和电路加固技术的有效方法。介绍了深亚微米及以下工艺中影响模型准确性的几种效应机制,包括脉冲展宽机制、电荷共享机制和重汇聚机制等。重点分析了单粒子瞬态、单粒子翻转的产生模型和单粒子瞬态的传播模型。阐述了基于重离子和脉冲激光的模型验证方法。最后,分析了单粒子效应随特征尺寸的变化趋势,并提出了未来单粒子效应建模技术的发展方向。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;中国科学院硅器件技术重点实验室;中国原子能科学研究院核物理研究所;中国科学院近代物理研究所;
【关键词】： 单粒子瞬态效应 单粒子翻转效应 软错误率 掩蔽效应
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61176095)
【分类号】：TN79
【正文快照】： 1引言集成电路面临的辐射环境[1]可分为空间环境、核爆炸辐射环境、核动力辐射环境、试验所用的模拟环境以及封装环境等。当航天电子系统处在空间辐射环境中时,辐射带中的高能粒子会使航天电子系统中的集成电路损坏或存储信息发生变化,严重影响航天器的正常工作甚至发生致命故

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本文编号：567168