小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

发布时间：2017-07-26 12:05

  本文关键词：小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

  更多相关文章： 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦化

【摘要】：随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀+介质再沉积+化学机械平坦化的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的"金属过蚀"现象。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所;
【关键词】： 高k金属栅 反应离子刻蚀 介质再沉积 化学机械平坦化
【分类号】：TN405
【正文快照】： 随着现代通迅技术对集成电路(IC)要求的日益提高,IC制造技术不断向着高集成度,高密度及高性能方向发展,这也意味着器件特征尺寸会不断缩小。目前,超大规模集成电路的特征尺寸已经在向22 nm以下进军,基本上还在遵循着摩尔定律,而基于Dennard等[1]提出的经典等比例缩小原则,在芯

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本文编号：576277