基于加速老化试验的IGBT寿命预测模型研究

发布时间：2017-07-31 16:07

  本文关键词：基于加速老化试验的IGBT寿命预测模型研究

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【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在工作过程中经常要承受过热和较大的温度波动,当热损伤达到一定程度时,模块极有可能出现失效,这会给电力系统造成巨大的危害。如果能根据寿命预测模型提前预估模块的寿命,便可以在模块即将失效之前进行更换,从而避免模块突然失效带来的损失。因此,考虑在检测模块壳温的条件下进行IGBT的温度循环试验,研究工况中易获得的壳温与IGBT寿命的关系模型。在已有寿命模型的基础上,提出改进的寿命预测模型,经试验数据验证准确度更高。
【作者单位】： 河北工业大学电气工程学院;
【关键词】： 绝缘栅双极型晶体管 温度循环 寿命预测模型
【基金】：国家科技支撑计划资助项目(2015BAA09B01) 河北省科技支撑计划资助项目(13214303D;14214503D)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 在智能电网建设的大背景下,IGBT作为新型电力电子器件的典型代表,在智能电网的相关设备如光伏逆变器、风能变流器、储能逆变器、柔性直流换流阀等中起着至关重要的作用[1]。IGBT经常工作在过载、过热等恶劣环境中,当受到电应力或热应力的反复冲击时,会发生疲劳损伤,引发器件失

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