金刚石衬底GaN HEMT研究进展

发布时间：2017-07-31 21:05

  本文关键词：金刚石衬底GaN HEMT研究进展

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【摘要】：SiC衬底GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)综合了AlGaN/GaN异质结优异的输运特性与SiC衬底高导热性能,在高频、宽带、高效、大功率应用领域表现出显著的性能优势。但GaN外延材料中存在高密度的缺陷,影响了导电沟道的散热,散热问题成为影响GaN HEMT性能进一步发挥的主要障碍。本文分析了GaN外延材料高缺陷密度形成的原因,介绍了近年来国外正在开展的基于转移技术金刚石衬底GaN HEMT技术,解决GaN HEMT散热问题的研究进展。研究结果表明,基于转移技术的金刚石衬底GaN HEMT有望成为继SiC衬底GaN HEMT之后的下一代固态微波功率器件主导型器件技术。
【作者单位】： 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
【关键词】： 氮化镓 高电子迁移率晶体管 金刚石 转移技术
【分类号】：TN386
【正文快照】： 引言GaN半导体材料具有比GaAs更大的禁带宽度、更高的饱和电子漂移速度和更高的击穿电场强度,基于SiC衬底的AlGaN/GaN HEMT结合了SiC衬底的高导热性与AlGaN/GaN异质结材料高输运特性的综合优势,可实现较GaAs FET更高的输出功率密度、更宽的工作带宽及更高的工作效率,是固态微

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本文编号：601102