铝栅碱性CMP的析氢腐蚀

发布时间：2017-08-01 16:06

  本文关键词：铝栅碱性CMP的析氢腐蚀

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【摘要】：采用碱性抛光液对铝栅进行化学机械抛光(CMP),在pH值大于8.3时会发生析氢反应,表面产生氢气泡,在铝栅表面留下大量蚀坑缺陷,降低平坦化效果,严重影响芯片器件性能的完整性和可靠性。对铝栅在碱性介质CMP条件下的析氢反应机理及控制理论进行了深入探究。通过接触角实验和静态腐蚀实验,并结合金相显微镜观察静态腐蚀后表面状态,发现抛光液中加入FA/O I非离子型表面活性剂可有效抑制碱性环境中铝栅CMP析氢腐蚀。通过实验得出,当碱性抛光液中FA/O I非离子型表面活性剂的体积分数为1.5%时,抛光液的表面张力最小,接触角最小,抑制析氢腐蚀效果最好。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室;
【关键词】： 铝栅 化学机械抛光(CMP) 碱性抛光液 表面活性剂 析氢腐蚀
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) 国家自然科学基金资助项目(NSFC61504037) 河北省自然科学基金资助项目(E2013202247,F2015202267)
【分类号】：TN305.2
【正文快照】： 2.天津市电子材料与器件重点实验室,天津300130)0引言随着CMOS晶体管特征尺寸越来越小,栅介质厚度达到几个原子线度范围内时,传统的栅介质会产生严重的漏电流,取而代之的高k介质和金属栅的良好兼容有效提升了CMOS晶体管的性能和可靠性。2007年,Intel公司的45 nm技术中实现了后

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本文编号：605038