新一代宽禁带半导体紫外光电探测器

发布时间：2017-08-02 18:10

  本文关键词：新一代宽禁带半导体紫外光电探测器

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【摘要】：伴随着紫外辐照在国防、科学研究和民用领域的广泛应用,半导体紫外探测技术也随之快速发展。以Ⅲ族氮化物和碳化硅为代表的宽禁带半导体材料是近年来国内外重点研究和发展的第三代半导体材料,具有优良的材料性能,是制备紫外探测器的理想材料。文中通过介绍Ⅲ族氮化物和碳化硅紫外探测器的技术现状,对其未来技术发展和应用了进行相关探讨。
【作者单位】： 南京大学电子科学与工程学院;江苏省光电信息功能材料重点实验室;
【关键词】： 宽禁带 紫外探测器 Ⅲ族氮化物 碳化硅
【分类号】：TN23
【正文快照】： 0引言由于紫外辐射对有机体与无机体都有着强烈的影响,是信息的重要载体,因而在工业、农业、医药卫生、国防以及环境监测领域有着广泛的应用,相应地也催生了庞大的紫外探测器件及其应用产品市场。紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用的光电探测技术

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本文编号：610567