基于信息论的高容错MRF电路的供电电压分析

发布时间：2017-08-02 18:25

  本文关键词：基于信息论的高容错MRF电路的供电电压分析

  更多相关文章： 信息论 Markov电路 低功耗 供电电压 稳定性

【摘要】：低功耗技术是当前研究热点,尤其对于手持移动设备,其重要性更为突出.降低电压是降低功耗最直接有效的方式之一,传统CMOS(complementary metal oxide semiconductor)电路在低电压条件下已无法正常工作,而基于能量观点的MRF(Markov random field)电路在超低电压下却拥有BER(bit error rate)超过10~(-5)的良好稳定性,从而引起学术界广泛关注,但是缺少对MRF电路的电路稳定性和其供电电压之间的理论研究.本文基于信息论的观点对MRF电路进行了理论分析与证明,证明出在输出正确概率相同的条件下,MRF电路的供电电压下界低于传统CMOS电路,并且进一步证明出其本质原因.本文的工作可以为后续基于MRF的低功耗高稳定性电路设计提供理论基础.
【作者单位】： 电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室;
【关键词】： 信息论 Markov电路 低功耗 供电电压 稳定性
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61371104) 国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2012AA011702)资助项目
【分类号】：TN432
【正文快照】： 1引言 随着科学技术的进步,信息系统朝着更大的传输速率、更高的处理能力、更低的功率消耗等方向发展W.因此,如何大幅度地降低信息系统及电路的功耗已经成为信息技术研究的热点和亟待解决的问题.数字互补金属氧化物半导体(cojaplaj晒ta,ry metal oxide庿iiiConductor,CMOS)电

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本文编号：610662