排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响
发布时间：2017-08-04 23:01
本文关键词：排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响
【摘要】：本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对a-Si刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD成膜、RIE等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15Pa,功率在5 500~6 500 W的参数区间,a-Si刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl=800∶2 800mL/min时a-Si刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏a-Si刻蚀的均一性。
【作者单位】： 中航光电子有限公司;
【关键词】： 等离子体刻蚀 a-Si 均一性 排气方式
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 1引言液晶显示技术目前已经相当成熟。液晶显示屏采用薄膜晶体管作为像素驱动开关,因此称之为TFT-LCD(thin film transistor)。按照开关材料分类,市场主流的技术有:a-Si(非晶硅)、低温多晶硅(LTPS)、IGZO(铟镓锌氧化物)[1-2]。以a-Si为材料的TFT技术已非常成熟占据市场50%的份
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本文编号：622083
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