基于贝叶斯概率统计的发光二极管瞬态热阻分析

发布时间：2017-08-05 08:33

  本文关键词：基于贝叶斯概率统计的发光二极管瞬态热阻分析

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【摘要】：应用贝叶斯概率统计的方法来反卷积进行网络识别,分析发光二极管(LED)封装器件的瞬态热阻,有效避免了计算机中频域法解卷积出现的病态问题以及贝叶斯迭代法中迭代次数选择的问题.讨论了该方法中优化参数与时间常数谱的半波宽以及纹波的关系,选择适当的优化参数进行反卷积,再由Foster网络模型转换到Cauer网络模型,获得LED器件的瞬态热阻.同时,讨论了该方法对含噪信号的反卷积的可靠性,并分析了采用此种反卷积方法得到的LED封装器件的热阻的正确性.
【作者单位】： 上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;上海大学材料科学与工程学院;
【关键词】： 贝叶斯 反卷积网络识别 发光二极管 瞬态热阻 时间常数谱
【基金】：国家重点基础研究发展规划(973)项目(2011CB013103)资助
【分类号】：TN312.8;O212.8
【正文快照】： 近些年,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因其独特的物理性能、良好的环境效益,在人们日常生活中的应用日渐广泛[1].随着需求的增长,其可靠性和稳定性逐渐引起人们的关注,对此研究也越来越深入[2-3].LED器件的结温和热阻是表征LED热学性能的一项关键参数,与其息息相关的

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