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一种用于静电保护的快速开启SCR器件

发布时间:2017-08-07 00:08

  本文关键词:一种用于静电保护的快速开启SCR器件


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【摘要】:提出了一种用于提高静电泄放(ESD)保护器件开启速度的SCR器件(VSCR)。VSCR采用了新型的横向基区变掺杂结构(VLBD),其开启速度主要由寄生p-n-p和n-p-n晶体管的基区渡越时间决定,使用VLBD结构能够减小寄生双极型晶体管的基区渡越时间,从而提高SCR器件的开启速度。实验结果证明,在不增加掩膜版数量和芯片面积的前提下,相比于传统均匀基区掺杂的MLSCR器件,采用VLBD结构的VSCR器件的开启速度能够提高12%。
【作者单位】: 电子科技大学通信与信息工程学院;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【关键词】静电泄放 SCR 横向基区变掺杂 内建电场 开启速度
【基金】:四川省科技支撑资助项目(2016GZ0115) 中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2015J035)
【分类号】:TN34
【正文快照】: 1引言晶闸管(SCR)可以在最小的版图面积下实现最高的ESD鲁棒性,是一种非常有效的ESD保护器件[1]。同时,SCR存在一些缺点,如较高的触发电压和较低的开启速度等。随着工艺的不断进步,器件的栅氧化层厚度不断减小,击穿时间(tBD)以及击穿电荷(QBD)也会减小。为了有效地防止超薄栅

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本文编号:632005

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