低功耗单片低噪声放大器芯片

发布时间：2017-08-07 21:22

  本文关键词：低功耗单片低噪声放大器芯片

  更多相关文章： 低噪声放大器 电流复用 低功耗 有源偏置 鲁棒性

【摘要】：基于0.15μm GaAs pHMET工艺技术的管芯特性分析,采用电流复用结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器芯片.该款芯片具有三级拓扑结构,采用源极负反馈提高芯片稳定性,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动.供电电压为5V的条件下,芯片的工作带宽为19~24GHz,增益和噪声系数分别为(24.7±0.2),(1.4±0.1)dB,电路总电流仅为5mA.芯片尺寸为2mm×1mm.与其他相同工作频率、使用传统技术的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势.
【作者单位】： 浙江工业大学信息工程学院;浙江大学航空航天学院;广东工业大学物理与光电学院;
【关键词】： 低噪声放大器 电流复用 低功耗 有源偏置 鲁棒性
【基金】：广东省重大科技计划资助项目(2015B010112002) 广州市科技计划项目(201504290917571)
【分类号】：TN722.3
【正文快照】： 科学技术日新月异的今天,微波单片集成电路(MMIC)技术广泛应用于军事[1]、航天和民用方面,已经成为我国发展各种高科技武器的重要支柱产业[2].同时近几年我国对军工技术的需求日益增大,我国的MMIC产业得到了迅速的发展.单片低噪声放大器作为微波单片集成电路的重要部分[3],主

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