SiC晶片加工技术现状与趋势

发布时间：2017-08-07 21:30

  本文关键词：SiC晶片加工技术现状与趋势

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【摘要】：SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状,分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势,并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第二研究所;
【关键词】： SiC晶片 加工技术 平整度 粗糙度
【基金】：国家自然科学基金项目(61404117) 国家高技术研究发展计划863重大专项资助项目(2014AA041401) 山西省自然科学基金(2014011016-8)
【分类号】：TN304.24
【正文快照】： 宽禁带半导体材料碳化硅Si C单晶因其优异的性能在制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件等方面得到了广泛的应用,发展Si C器件成为电子产业发展的趋势,现己成为国际关注的焦点。目前,Si C器件的发展已经取得一定成效,但高质量Si C衬底的产量一直很低,主要受Si C单晶

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本文编号：636822