当前位置:主页 > 科技论文 > 电子信息论文 >

GaN基大功率LED芯片散热研究与优化

发布时间:2017-08-08 07:20

  本文关键词:GaN基大功率LED芯片散热研究与优化


  更多相关文章: GaN LED 三维热模型 热阻 固晶胶


【摘要】:发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是由化合物半导体制作而成的发光组件,经由电子空穴结合之后可将电能转换成光的形式激发释出。高性能固态照明节能的需求已导致LED产业的急剧升级,增加LED芯片的功率密度和电流已被用来降低成本。然而,这会导致由于LED内部的自加热(Self-Heating)而引起的LED性能的退化。对大功率LED进行良好的热管理是其广泛应用的基础。本论文通过有限元软件COMSOL建立GaN大功率LED的三维热模型对其散热进行研究和优化。首先,本论文介绍了GaN LED的基本的结构和工作原理,以及热源产生的原因和对LED性能的一系列影响,热管理的研究现状。同时介绍了稳态导热的基本原理和热阻、接触热阻和扩散热阻的概念,以及芯片模块的热阻计算。在此基础上建立大功率LED的封装一维热阻模型。其次,本论文通过大功率LED的三维热模型详细分析了固晶胶对大功率LED散热的影响,以及在大功率白光LED的荧光粉层中荧光粉的浓度对LED结温的影响。结果表明:LED的结温和结到板的热阻极大的受到固晶胶材料的热导率、固晶层的粘接面积和粘接厚度的影响。一个较好的固晶层设计例子是固晶胶的热导率为20 W/mK,键合厚度为20μm,并且面积为1 mm2。它在给定的环境温度下结温为337 K。对荧光粉层温度的模拟分析表明,YAG荧光粉的浓度在70 wt.%的基础上继续增大时,荧光粉的温度开始出现略微上升。增加散热翅片,可以使结温降低18 K,当翅片高度小于20 mm时,随着翅片高度增大,结温的降低是显著的;当翅片高度超过20 mm以后,继续增大翅片高度对散热的影响并不大。最后,本文从两个方面对大功率LED的散热进行优化。一方面使用变截面翅片使结温降低了22 K。另一方面提出一种新的集成散热结构,采用金刚石和金属作为集成热扩散层。仿真表明,在金刚石和金属的厚度为4μm,耗散功率为0.8 W的条件下,LED的结温分别降低了11K和4.9K。
【关键词】:GaN LED 三维热模型 热阻 固晶胶
【学位授予单位】:电子科技大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN312.8
【目录】:
  • 摘要5-6
  • ABSTRACT6-10
  • 第一章 绪论10-20
  • 1.1 课题背景10-14
  • 1.1.1 LED发展简史10-11
  • 1.1.2 GaN LED自加热概述11-12
  • 1.1.3 与温度相关的失效12-14
  • 1.1.4 有限元软件COMSOL Multiphysics简介14
  • 1.2 国内外研究现状14-17
  • 1.3 GaN基LED研究意义17-18
  • 1.4 本论文的主要结构及纲要18-20
  • 第二章 GaN LED散热理论基础20-38
  • 2.1 LED基本理论20-27
  • 2.1.1 LED的发光原理20-21
  • 2.1.2 LED的I-V特性21-23
  • 2.1.3 LED中的复合模型23-25
  • 2.1.4 LED芯片级器件结构25-27
  • 2.2 传热学理论基础27-30
  • 2.2.1 热传导27-28
  • 2.2.2 对流传热28-29
  • 2.2.3 辐射传热29-30
  • 2.3 芯片模块热阻30-37
  • 2.3.1 热阻、扩散热阻以及接触热阻的概念30-33
  • 2.3.2 内部热阻和外部热阻33-37
  • 2.3.3 单个芯片封装的总热阻37
  • 2.4 本章小结37-38
  • 第三章 GaN大功率LED的热性能分析38-57
  • 3.1 GaN大功率LED的建模方法38-41
  • 3.1.1 GaN大功率LED的数值模型38-41
  • 3.1.2 GaN大功率LED的热阻模型41
  • 3.2 DAA层对GaN大功率LED热性能的影响分析41-51
  • 3.2.1 DAA的热导率对散热的影响42-45
  • 3.2.2 DAA层的面积和键合厚度对散热的影响45-48
  • 3.2.3 GaN大功率LED瞬态特性仿真48-49
  • 3.2.4 散热片对GaN大功率LED散热的影响49-51
  • 3.3 荧光粉的浓度对GaN大功率LED热性能的影响分析51-56
  • 3.3.1 GaN大功率白光LED数值模型51-53
  • 3.3.2 结果分析与讨论53-56
  • 3.4 本章小结56-57
  • 第四章 GaN大功率LED散热优化分析与设计57-71
  • 4.1 使用散热器优化GaN大功率LED热分布57-62
  • 4.2 使用集成散热片设计优化GaN大功率LED热分布62-70
  • 4.3 本章小结70-71
  • 第五章 结论71-73
  • 5.1 本文的主要工作71-72
  • 5.2 下一步工作的展望72-73
  • 致谢73-74
  • 参考文献74-78
  • 硕士期间取得的研究成果78-79

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[J];微波学报;2011年06期

2 张保平;蔡丽娥;张江勇;李水清;尚景智;王笃祥;林峰;林科闯;余金中;王启明;;GaN基垂直腔面发射激光器的研制[J];厦门大学学报(自然科学版);2008年05期

3 汪连山,刘祥林,岳国珍,王晓晖,汪度,陆大成,王占国;N型GaN的持续光电导[J];半导体学报;1999年05期

4 赵丽伟;滕晓云;郝秋艳;朱军山;张帷;刘彩池;;金属有机化学气相沉积生长的GaN膜中V缺陷研究[J];液晶与显示;2006年01期

5 张进城;董作典;秦雪雪;郑鹏天;刘林杰;郝跃;;GaN基异质结缓冲层漏电分析[J];物理学报;2009年03期

6 陈裕权;;欧洲通力合作发展GaN技术[J];半导体信息;2009年04期

7 张金风;郝跃;;GaN高电子迁移率晶体管的研究进展[J];电力电子技术;2008年12期

8 唐懿明;;电注入连续波蓝光GaN基垂直腔面发射激光器[J];光机电信息;2008年08期

9 Tim McDonald;;基于GaN的功率技术引发电子转换革命[J];中国集成电路;2010年06期

10 陈裕权;;日本GaN基器件研究进展[J];半导体信息;2004年02期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 陈勇波;周建军;徐跃杭;国云川;徐锐敏;;GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性的研究[A];2011年全国微波毫米波会议论文集(下册)[C];2011年

2 金豫浙;曾祥华;胡益佩;;γ辐照对GaN基白光和蓝光LED的光学和电学特性影响[A];二00九全国核反应会暨生物物理与核物理交叉前沿研讨会论文摘要集[C];2009年

3 魏萌;王晓亮;潘旭;李建平;刘宏新;肖红领;王翠梅;李晋闽;王占国;;高温AlGaN缓冲层的厚度对Si(111)基GaN外延层的影响[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年

4 王文军;宋有庭;袁文霞;曹永革;吴星;陈小龙;;用Li_3N和Ga生长块状GaN单晶的生长机制[A];第七届北京青年科技论文评选获奖论文集[C];2003年

5 刘福浩;许金通;王玲;王荣阳;李向阳;;GaN基雪崩光电二极管及其研究进展[A];第十届全国光电技术学术交流会论文集[C];2012年

6 王曦;孙佳胤;武爱民;陈静;王曦;;新型硅基GaN外延材料的热应力模拟[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(10)[C];2007年

7 高飞;熊贵光;;GaN基量子限制结构共振三阶极化[A];第五届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集[C];2001年

8 凌勇;周赫田;朱星;黄贵松;党小忠;张国义;;利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光[A];第五届全国STM学术会议论文集[C];1998年

9 王连红;梁建;马淑芳;万正国;许并社;;GaN纳米棒的合成与表征[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(6)[C];2007年

10 陈宠芳;刘彩池;解新建;郝秋艳;;HVPE生长GaN的计算机模拟[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

中国重要报纸全文数据库 前2条

1 银河证券 曹远刚;春兰股份 开发GaN 又一方大[N];中国证券报;2004年

2 ;松下电器采用SiC基板开发出新型GaN系高频晶体管[N];中国有色金属报;2003年

中国博士学位论文全文数据库 前10条

1 赵景涛;GaN基电子器件势垒层应变与极化研究[D];山东大学;2015年

2 毛清华;高光效硅衬底GaN基大功率绿光LED研制[D];南昌大学;2015年

3 陈浩然;太赫兹波段GaN基共振隧穿器件的研究[D];西安电子科技大学;2015年

4 龚欣;GaN异质结双极晶体管及相关基础研究[D];西安电子科技大学;2007年

5 徐波;GaN纳米管的理论研究及GaN紧束缚势模型的发展[D];中国科学技术大学;2007年

6 李亮;GaN基太赫兹器件的新结构及材料生长研究[D];西安电子科技大学;2014年

7 王虎;蓝宝石衬底上AlN薄膜和GaN、InGaN量子点的MOCVD生长研究[D];华中科技大学;2013年

8 高兴国;GaN基稀磁半导体薄膜的制备与性能研究[D];山东师范大学;2014年

9 栾崇彪;GaN基电子器件中极化库仑场散射机制研究[D];山东大学;2014年

10 周圣军;大功率GaN基LED芯片设计与制造技术研究[D];上海交通大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 徐新兵;基于GaN纳米线铁电场效应晶体管及相关电性能[D];华南理工大学;2015年

2 周金君;温度对GaN(0001)表面生长吸附小分子SrO、BaO和Ti0_2影响的理论研究[D];四川师范大学;2015年

3 艾明贵;星载GaN微波固态功率放大器的研究[D];中国科学院研究生院(空间科学与应用研究中心);2015年

4 王玉堂;Virtual Source模型模拟分析GaN基电子器件特性研究[D];山东大学;2015年

5 井晓玉;垒结构对硅衬底GaN基绿光LED性能的影响[D];南昌大学;2015年

6 徐政伟;硅衬底GaN基LED光电性能及可靠性研究[D];南昌大学;2015年

7 肖新川;GaN微波宽带功率放大器的设计与实现[D];电子科技大学;2014年

8 郭洁;Ce掺杂GaN纳米结构的制备及物性研究[D];新疆大学;2015年

9 尹成功;毫米波GaN基HEMT小信号建模和参数提取[D];电子科技大学;2014年

10 冯嘉鹏;GaN基HEMT器件的性能研究与设计优化[D];河北工业大学;2015年



本文编号:638768

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/638768.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户d3d3a***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com