富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

发布时间：2017-08-08 14:36

  本文关键词：富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性

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【摘要】：通过磷注入法合成并利用液封直拉法(LEC)生长了富铟InP单晶,将晶锭进行定向切割、研磨和抛光,得到InP抛光片。用金相显微镜、扫描电镜、快速扫描光荧光谱(PL-Mapping)技术、高分辨率XRD射线衍射技术研究了富铟非掺InP单晶样品特性。结果表明,在富铟条件下生长的InP单晶会出现富铟夹杂,这种富铟夹杂可导致其周围位错密度升高,同时富铟夹杂在晶片内分布也是不均匀的,在晶片中心部分富铟夹杂的密度高,在边缘部分密度低。对富铟夹杂形成及不均匀分布的原因进行了分析,讨论了富铟夹杂对PL-Mapping发光峰峰值的影响。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院;中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室;
【关键词】： 磷化铟 液封直拉(LEC)法 晶体生长 富铟夹杂 光荧光谱(PL-Mapping)
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51401186) 河北省自然科学基金资助项目(F2014202184) 天津市自然科学基金资助项目(15JCZDJC37800)
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言磷化铟(In P)是继硅(Si)、砷化镓(Ga As)之后一种非常重要的半导体材料,具有闪锌矿结构。与硅相比,In P材料具有优异的物理特性,如直接带隙、电子迁移率高、抗辐射、热导率高等。以In P为衬底制作的光电器件和微电子器件,广泛应用于光纤通信、卫星通信、太阳电池以及光电

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本文编号：640517