基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展

发布时间：2017-08-08 14:28

  本文关键词：基于GaN基HEMT结构的传感器件研究进展

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【摘要】：GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)具有异质结界面处的高二维电子气(2DEG)浓度、宽禁带、高击穿电压、稳定的化学性质以及高的电子迁移率,这些特性使它发展起来的传感器件在灵敏度、响应速度、探测面、适应恶劣环境上具备了显著的优点。本文首先围绕GaN基HEMT的基本结构发展起来的两类研究成熟的传感器,对其结构、工作机理、工作进展以及优缺点进行了探讨与总结;而后,着重从改变器件材料及优化栅结构与栅上材料的角度,阐述了3种GaN基HEMT新型传感器的最新进展,其中,从材料体系、关键工艺、探测结构、原理及新机理方面重点介绍了GaN基HEMT光探测器;最后,探索了GaN基HEMT传感器件未来的发展方向。
【作者单位】： 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室;
【关键词】： AlGaN/GaN异质结 DEG GaN基HEMT传感器 栅结构 光探测器
【基金】：教师队伍建设(PXM2016_014204_000017_00205938_FCG)青年拔尖项目(市级) 国家自然科学基金(61574011) 北京市自然科学基金(4142005) 北京市教委能力提升项目(PXM2016_014204_500018)资助
【分类号】：TN386;TP212
【正文快照】： 1引言Ga N基HEMT传感器是基于Al Ga N/Ga N异质结处的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特性而发展起来的一种新型传感探测器件。在Ga N基HEMT结构中,异质结Al Ga N/Ga N界面处会形成一个2DEG的表面通道,势阱中的2DEG受控于栅极电压[1],且这层2DEG十分接近表面,对表面的状态十

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本文编号：640470