工艺条件对铝栅化学机械平坦化效果的影响

发布时间：2017-08-12 07:39

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【摘要】：采用由2.5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、1.5%H2O2、0.5%FA/O型螯合剂和1.0%表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。研究了抛光垫、抛光压力、流量、抛光头转速、抛光垫转速以及抛光后清洗对铝栅表面粗糙度的影响。采用POLITEXTM REG抛光垫,在抛光压力1.5 psi,抛头转速60 r/min,抛光盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min的条件下,对铝栅抛光后用自主研发的清洗剂清洗,铝栅表面粗糙度最低(2.8 nm),并且无划痕、腐蚀、颗粒残留等表面缺陷。
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室;华北理工大学;
【关键词】： 铝栅 化学机械平坦化 缺陷 粗糙度
【基金】：国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) 天津市自然科学基金(16JCYBJC16100)
【分类号】：TG175.3;TN305.2
【正文快照】： 铝化学机械平坦化最早应用在铝互连布线的后道工艺中[1]。当集成电路进入微电子发展阶段,CMOS(互补金属氧化物导体)晶体管也进入微米级节点技术时代,铜凭借其低电阻和高可靠性的优点取代了铝布线[2]。2007年,英特尔公司开发了具有高k金属栅(HKMG)技术的微电子器件[3],使45 nm

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本文编号：660500