新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化

发布时间：2017-08-13 02:08

  本文关键词：新型ENEPIG封装基板化学镀钯工艺优化

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【摘要】：化学镀钯是制作新型ENEPIG印制电路板最关键的工艺,从化学镀钯反应机理入手,分析了影响质量的工艺参数,运用实验设计中健壮设计的实验方法,对工艺参数进行了优化,找到了新型ENEPIG印制电路板中化学镀钯的最优工艺参数:2.2 g/L氯化钯,13.2 g/L次磷酸钠,165 m L/L氢氧化铵,33 g/L氯化铵,镀液θ为55℃,pH为9.6。验证试验表明,应用改善后的镀钯工艺,钯的沉积速率明显加快,集中度也得到显著提高。
【作者单位】： 潍坊学院;
【关键词】： 印制电路板 化学镀钯 工艺 参数优化
【基金】：国家星火计划项目(2011GA740047) 山东省自然科学基金项目(ZR2012EML03) 山东省国际科技合作计划项目(201013) 山东省高等学校科技计划项目(J12LA57) 山东省星火计划项目(2011XH06025)
【分类号】：TN41
【正文快照】： 引言在MEMS封装领域,封装基板是承载器件的基础,其最大的隐患“黑垫”问题困扰了业界很长时间,为彻底解决该问题,开发了新型的ENEPIG(Electroless Nickel,Electroless Palladium,and Immer-sion Gold,化学镀镍,化学镀钯与浸金)封装基板,这种基板表面保护工艺最突出的改善是在

【二级参考文献】

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本文编号：664817