碳化硅量子点表面物化特性的计算模拟

发布时间：2017-08-13 22:22

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【摘要】：采用化学腐蚀法制备碳化硅(SiC)量子点荧光材料,对其进行Fourier变换红外光谱分析及X射线粉末衍射结构解析,研究了SiC量子点的晶体结构,而后基于密度泛函理论的CASTEP平面波模守恒赝势对SiC量子点表面不同功能团的吸附机制进行计算模拟。结果表明:SiC量子点属于面心立方晶系,修正后的点阵参数为:a=b=c=0.434 8 nm,α=β=γ=90°,空间群为F-43m,晶型为3C-SiC,每单胞含化学式Z=4。Rietveld精修的2个主要可靠因子分别为:R_p=10.82%,R_(wp)=14.72%。 COOH、 OH功能团能够在SiC量子点表面形成稳定的化学键结合,键能分别为2.65、5.09 eV,并对吸附后构型的态密度、电子密度分布及其成键机理进行了分析探讨。
【作者单位】： 山东农业大学机械与电子工程学院山东省园艺机械与装备重点实验室;山东农业大学园艺科学与工程学院;山东交通职业学院中职学院;
【关键词】： 碳化硅量子点 X射线粉末衍射 晶体结构 化学吸附
【基金】：山东省科技发展计划项目(2014GGX102012) 中国博士后科学基金(2013M53163)项目 山东省现代农业产品技术体系果品创新团队专项经费资助项目
【分类号】：O471.1
【正文快照】： 碳化硅量子点是尺寸在1~10 nm之间的纳米颗粒,具有独特的量子尺寸效应,表现出良好的光学特性,如吸收光谱宽而连续,发射光谱窄而对称,Stokes位移大,发射光谱检出率高,抗光漂白能Received date:2015 11 03.Revised date:2016 01 04.First author:ZHU Yanmin(1987 ),female,

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【相似文献】

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本文编号：669335