基于IGBT有源门极控制的EMI抑制方法研究

发布时间：2017-08-15 14:09

  本文关键词：基于IGBT有源门极控制的EMI抑制方法研究

  更多相关文章： 绝缘栅双极型晶体管 有源门极控制 抑制方法

【摘要】：随着大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)广泛应用于电力电子装置,其产生的电磁干扰(EMI)问题成为研究热点。IGBT有源门极控制(ACC),该控制方法在关断瞬间获得不同的反馈增益,进而抑制关断电压尖峰。在此分析电路的工作原理、系统稳定性及门极电压波形,利用Saber仿真软件建立IGBT串联电路模型,在传导干扰测试频率范围内,考虑寄生参数的情况下,仿真了IGBT在传统门极控制和AGC下的共模/差模(CM/DM)干扰。搭建实验平台,通过测试得到AGC下对系统产生的EMI抑制效果更好,对电力电子装置传导EMI的抑制分析具有重要意义。
【作者单位】： 天津理工大学天津市复杂系统控制理论及应用重点实验室;
【关键词】： 绝缘栅双极型晶体管 有源门极控制 抑制方法
【基金】：天津市应用基础与前沿技术研究计划(14JCYBJC18400)~~
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 1引言 随着电力电子器件的不断发展,大功率igbt以其开关速度快、耐压等级高及安全工作区较宽等优点广泛应用于肖力电子装置。颠,压降师关损耗的权衡问题~栕舽IGBT的发展,}IGBT的串联技术具有减小开关损耗,能够达到*高的工作电压以及提高设备性能等优点,成为满足大功率变换

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前3条

1 张国安;张东霞;姜永金;董雅丽;;IGBT的du/dt有源门极控制技术的研究[J];电力电子技术;2012年06期

2 李明;王跃;高远;王兆安;;采用动态电压上升控制的1700 V大功率IGBT有源门极驱动技术[J];高电压技术;2014年08期

3 ;[J];;年期

，

本文编号：678565