ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

发布时间：2017-08-22 21:44

  本文关键词：ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

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【摘要】：通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20V],下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。
【作者单位】： 合肥鑫晟光电科技有限公司;
【关键词】： 高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 Poole-Frenkel
【分类号】：TN321.5
【正文快照】： (Xingsheng Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Hefei 230012,China)1引言现今显示技术范畴中,液晶显示(LiquidCrystal Display,LCD)是当今平板显示(FlatPanel Display,FPD)的技术主流,其中非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)是主要的液晶显示技术。a-Si TFT作为阵列的开关元件,其，

本文编号：721147