第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策

发布时间：2017-08-23 04:42

  本文关键词：第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策

  更多相关文章： 半导体材料 电力电子器件 半导体照明 固态光源 带隙宽度 产业转型升级 半导体技术 抗辐射能力 智能电网 禁带

【摘要】：正第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1eV)和砷化镓(GaAs)(1.4eV)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的"核心",在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,与第1代、第2代半导体技术互补,对节能减排、产业转型升级、催生
【作者单位】： 北京半导体照明科技促进中心;中关村半导体照明联合创新重点实验室;
【关键词】： 半导体材料;电力电子器件;半导体照明;固态光源;带隙宽度;产业转型升级;半导体技术;抗辐射能力;智能电网;禁带;
【分类号】：F426.63
【正文快照】： 第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1e V)和砷化镓(Ga As)(1.4e V)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的“核心”,在半导体照明、消费类电子、5G移动

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 ;日益丰富的半导体材料[J];中国电子商情;2002年09期

2 ;日益丰富的半导体材料[J];电子工业专用设备;2002年03期

3 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年07期

4 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年08期

5 ;半导体材料[J];电子科技文摘;2002年02期

6 朱金贵;2002年上海市半导体材料年度学术讨论会日前举行[J];上海有色金属;2003年01期

7 管丕恺;张臣;;半导体材料现状与发展[J];中国集成电路;2003年03期

8 ;上海市半导体材料2003年学术年会日前召开[J];上海有色金属;2004年01期

9 ;《半导体材料》[J];稀有金属;2004年03期

10 ;飞利浦开发出新型半导体材料[J];中国集成电路;2005年04期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 华庆恒;汝琼娜;;半导体材料测量技术的新进展[A];中国电子学会生产技术学分会理化分析专业委员会第六届年会论文集[C];1999年

2 孟青;王成亮;江浪;李洪祥;胡文平;;高性能有机场效应晶体管半导体材料的设计、合成及性能研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

3 屠海令;;半导体材料工艺技术研究进展[A];中国有色金属学会第三届学术会议论文集——战略研究综述部分[C];1997年

4 屠海令;;纳米集成电路用半导体材料的科学与技术问题[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年

5 顾冰芳;徐国跃;任菁;蔡刚;罗艳;;半导体材料的红外吸收及低发射率方法研究[A];2006年全国功能材料学术年会专辑（Ⅲ）[C];2006年

6 叶谦;周峰;;CdS-TiO_2复合半导体材料的制备[A];甘肃省化学会二十六届年会暨第八届中学化学教学经验交流会论文集[C];2009年

7 徐军;徐科;陈莉;张会珍;;高性能阴极荧光分析系统及其在氮化物半导体材料中的应用[A];2005年全国电子显微学会议论文集[C];2005年

8 ;第9章 微电子半导体材料与器件[A];中国新材料产业发展报告（2010）[C];2011年

9 李光平;何秀坤;王琴;李晓波;阎平;汝琼娜;郑驹;;近代低温FT-IR技术及其在半导体分析中的应用[A];中国电子学会生产技术学会理化分析四届年会论文集下册[C];1991年

10 乔娟;王威;邱勇;;配位型有机/无机复合半导体材料的结构与性质研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年

中国重要报纸全文数据库 前10条

1 梁红兵;新工艺面临技术挑战半导体材料时代来临[N];中国电子报;2008年

2 ;新政策对半导体材料业有积极作用[N];中国电子报;2009年

3 冯健;模式创新更加重要[N];中国电子报;2010年

4 杨春;去年半导体材料市场达420亿美元 中国增长排首位[N];电子资讯时报;2008年

5 记者 常丽君;超高压下半导体材料可变身拓扑绝缘体[N];科技日报;2013年

6 CCID微电子研究所;日益丰富的半导体材料[N];中国电子报;2002年

7 王小龙;硅与非硅材料“混搭”难题解决[N];科技日报;2014年

8 ;低维半导体材料与量子器件[N];科技日报;2000年

9 ;东汽峨半:勇做中国半导体材料行业的领跑者[N];中国有色金属报;2008年

10 钟信;大直径半导体硅材料产业化取得进展[N];中国有色金属报;2006年

中国博士学位论文全文数据库 前10条

1 孙启明;半导体材料的锁相载流子辐射成像[D];电子科技大学;2015年

2 豆艳坤;典型半导体材料电学性能的温度依赖特性研究[D];北京理工大学;2015年

3 王英锋;新型有机场效应晶体管半导体材料的设计、合成与性能研究[D];浙江大学;2015年

4 赵旭光;低维半导体材料的电子自旋结构及设计[D];华东师范大学;2013年

5 李赫;半导体材料的电沉积制备及其形貌控制研究[D];浙江大学;2007年

6 贾博雍;零维半导体材料的电子结构研究[D];北京邮电大学;2010年

7 孔晋芳;氧化锌基半导体材料的拉曼光谱研究[D];上海交通大学;2009年

8 梁建;新型结构半导体材料的制备与表征[D];太原理工大学;2005年

9 俞笑竹;新型半导体材料的制备及性能研究[D];上海交通大学;2012年

10 林亮;有机自旋小分子半导体材料与器件制备及特性研究[D];山东大学;2011年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 董金雪;基于厑的有机小分子半导体材料的设计与合成[D];兰州大学;2016年

2 邢诗萌;锡酸镧钡薄膜的光电特性研究及半导体材料电学测试系统的设计[D];华东师范大学;2016年

3 朱芳;有机功能半导体材料的设计合成与性能研究[D];大连理工大学;2010年

4 张忠恕;半导体材料低温无磨料超光滑表面抛光分析的研究[D];长春理工大学;2009年

5 柯晓娟;半导体材料测试仪器的设计与制作[D];武汉科技大学;2013年

6 陈玉明;半导体材料带隙宽度的尺寸和温度效应研究[D];湘潭大学;2011年

7 王晓斌;镓基半导体材料的二次转化法制备与表征[D];太原理工大学;2013年

8 黎小鹿;激光与半导体材料相互作用的热效应分析[D];江西师范大学;2008年

9 陈科立;半导体材料的电沉积制备及其光电性能研究[D];浙江大学;2011年

10 徐仁伯;多功能半导体材料测试仪的设计[D];湖南大学;2008年

，

本文编号：723051