微波宽带高效率GaN MMIC功率放大器设计
发布时间:2017-08-23 11:35
本文关键词:微波宽带高效率GaN MMIC功率放大器设计
【摘要】:本文基于国产SiC衬底的0.25um GaN HEMT工艺,采用两级放大结构设计了一款2-6GHz的宽带高效率GaN MMIC功率放大器。通过采用带通匹配结构,并综合利用电抗补偿技术,使得设计的该MMIC功率放大器在2-6GHz范围内,输出功率大于36d Bm,增益大于21d B,功率附加效率(PAE)大于41%,其中输入功率为15d Bm,Vgs1=-1.5V,Vgs2=-2V,Vds=28V。整体版图尺寸3.5×2.4mm。
【作者单位】: 电子科技大学电子工程学院;
【关键词】: GaN MMIC 功率放大器 宽带 高效率
【基金】:国家自然科学基金(61474042) 中国博士后基金(2015M570775;2014M55233;2016T90844) 国家重大专项
【分类号】:TN722.75
【正文快照】: 引言MMIC开始主要应用于军用系统,如相控阵雷达、火箭与导弹的制导和电子对抗等系统。随着无线技术的发展,人们对无线电系统的要求越来越高,比如高功率、高效率、高可靠性和小型化等,MMIC凭借其体积小、可靠性高、抗干扰能力强、产品一致性好和批量生产成本低等优点,称为各种
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1 孙再吉;;GaN MMIC大功率开关IC的开发[J];半导体信息;2004年03期
,本文编号:724827
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