二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究

发布时间：2017-08-23 14:14

  本文关键词：二氟化氙释放牺牲层多晶硅刻蚀速率研究

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【摘要】：该文研究了相关工艺参数对二氟化氙(XeF_2)干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器(FBAR)悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N_2流量的增大,刻蚀速率先增加后减少,刻蚀速率最大值为10.3μm/min;载气N2流量不变时,腔室压力越大,工艺腔室参与刻蚀反应的XeF_2气体的浓度增大,刻蚀速率越大。当腔室压力超过1 200Pa时,随着腔室压力的增加,刻蚀速率的增长率逐渐减小。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第二十六研究所;
【关键词】： 空气隙 干法刻蚀 刻蚀速率 粗糙度 支撑层
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 0引言随着薄膜体声波谐振器(FBAR)技术在无线通讯设备中的广泛应用,空气隙FBAR结构因具有好的结构稳定性和相对较高的品质因数(Q)值而成为国内外研究的热点,是目前用于产品最成功的结构形式[1]。空气隙FBAR结构是在加工完电极和压电膜后,通过移除其下方的牺牲层材料形成空气腔

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本文编号：725489