硅材料界面形态演化过程的相场法研究

发布时间：2017-08-26 00:29

  本文关键词：硅材料界面形态演化过程的相场法研究

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【摘要】：采用有限差分法求解高界面能各向异性的相场模型,对硅材料晶粒生长过程进行模拟,分析了界面能各向异性强度和过冷度对界面形态演化的影响。结果表明:在高界面能各向异性下,硅晶粒为典型小平面枝晶形态,模拟结果和实验结果吻合。随着界面能各向异性强度的增大,晶粒界面形态由类球状经光滑枝晶向小平面枝晶转变;随着过冷度的增加,晶粒界面形态由类矩形向小平面枝晶转变。Y轴正方向晶粒长度在界面能各向异性强度为0.15和0.1时相当,Y轴正方向晶粒尖端温度在界面能各向异性强度为0.15时略高于界面能各向异性强度为0.1时的值。
【作者单位】： 商洛学院陕西省尾矿资源综合利用重点实验室;商洛学院电子信息与电气工程学院;
【关键词】： 相场法 界面形态 硅材料 界面能各向异性强度 过冷度
【基金】：商洛市科技局资助项目(SK2014-01-01) 2015年度国家级大学生创新训练资助项目(201511396718)
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 世界经济已进入信息化发展时期,电子信息技术是信息化群体的先导,而半导体硅材料的品质主导着电子信息技术产业的兴衰。半导体硅材料凝固过程中形成的晶粒界面形态决定硅材料电子产品的品质和性能。通过分析不同条件下的界面形态,探讨界面形态对半导体硅材料信息传输质量的影，

本文编号：738645