质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备

发布时间：2017-08-28 14:32

  本文关键词：质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器制备

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【摘要】：在光子晶体垂直腔面发射激光器中采用质子注入工艺,使台面工艺变成纯平面工艺,降低了光子晶体结构制备难度,简化了器件制备,提高了器件的均匀性。质子注入型光子晶体垂直腔面发射激光器中的光子晶体结构,在电流限制孔小于光子晶体缺陷孔时,仍能控制器件光束及模式特性,该结果可用于优化器件阈值电流,制备高性能低阈值电流基横模器件。实验所设计制备的器件,在注入电流小于12.5 m A时,阈值电流2.1 m A,出光功率大于1 m W,远场发射角小于7°,有效验证了光子晶体结构在质子注入型面发射激光器中的光束改善及模式控制作用。
【作者单位】： 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术教育部重点实验室;中国科学院半导体研究所;
【关键词】： 质子注入 光子晶体 垂直腔面发射激光器
【基金】：国家自然科学基金(61376049,61076044,61107026,61204011) 北京市自然科学基金(4132006,4102003,4112006) 高等学校博士学科点专项科研基金(20121103110018) 北京市教委创新能力提升计划(PXM2013_014204_000029)
【分类号】：TN248
【正文快照】： 0引言垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其动态单纵模、低阈值电流、高光束质量(圆形光斑)、易于二维阵列集成等优点,在短距离光通信[1]、光互连[2]、光存储等领域有着广泛的应用。然而普通VCSEL由于横向尺寸较大,横模限制较弱,其中存在多个横向模式,彼此之间交叠,竞争强烈,严重影

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