N-polar GaN上的欧姆接触:材料制备、金属化方案与机理

发布时间：2017-08-28 15:21

  本文关键词：N-polar GaN上的欧姆接触:材料制备、金属化方案与机理

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【摘要】：氮极性(N-polar)GaN与镓极性(Ga-polar)GaN极性相反,且具有较高的表面化学活性,使其在光电子、微电子及传感器等领域逐渐受到关注。文章结合一些相关研究报道,综述了N-polar GaN上欧姆接触的研究进展。首先对N-polar GaN材料的制备进行了分析,随后对N-polar GaN的欧姆接触电极的金属化方案及欧姆接触机理等内容进行了综合讨论,以期为实际N-polar GaN欧姆接触研究提供一些参考。
【作者单位】： 石家庄学院物理与电气信息工程学院;河北工业大学信息工程学院;
【关键词】： 氮极性 氮化镓 欧姆接触 氮化铝
【基金】：河北省科技计划项目(F2013106079;15210606) 石家庄市科学技术研究与发展指导计划项目(11113481) 石家庄学院科研平台项目(XJPT002)
【分类号】：TN304
【正文快照】： 0引言GaN以宽禁带、高饱和电子速率、高击穿电压、高热导率等材料特征及稳定的物理化学特性在蓝/紫外激光器、发光二极管、光电探测器和高温大功率电子器件等方面日益受到研究者的重视[1-4]。其中接触电阻小、表面形貌好、轮廓清晰度高且稳定可靠的欧姆接触是实现这一系列应用

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7 解金山;欧姆接触最佳合金条件[J];激光;1981年11期

8 徐静平，，余岳辉，彭昭廉，陈涛;多晶硅接触薄发射极欧姆接触电极的研究[J];华中理工大学学报;1995年08期

9 华文玉,陈存礼;判断金属/薄层半导体欧姆接触质量的一个新方法[J];电子学报;1999年08期

10 龙闰;戴瑛;刘东红;俞琳;闫翠霞;;p型金刚石欧姆接触的研究[J];半导体技术;2006年01期

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3 董建新;方亮;张淑芳;彭丽萍;张文婷;高岭;;ZnO上欧姆接触的研究进展[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年

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8 郎岳;GaSb欧姆接触制备及电学特性研究[D];长春理工大学;2013年

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本文编号：748331