刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响

发布时间：2017-09-05 02:48

  本文关键词：刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN表面粗化的影响

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【摘要】：研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢,被刻蚀完全去除Al N缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象.经X射线光电子能谱分析可知,等离子体刻蚀能够提高样品表面Al N缓冲层Al_2p的电子结合能,使得样品表面费米能级向导带底靠近,原子含量测试表明样品表面产生了大量的N空位,N空位提供电子,使得材料表面费米能级升高,这降低了KOH溶液和样品表面之间的肖特基势垒,从而有利于表面粗化的进行.通过等离子体刻蚀掉表面部分Al N缓冲层,改善了N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,明显提升了对应发光二级管器件的出光功率.
【作者单位】： 南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;
【关键词】： 氮化镓 氮化铝 表面粗化 发光二极管
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076) 国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01) 国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101) 江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化

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本文编号：795392