碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性

发布时间：2017-09-05 06:12

  本文关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管短路特性

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【摘要】：器件的短路能力对整流器及其故障保护具有极其重要的意义。当器件故障运行时,为避免器件损坏,须在最短的时间内将故障予以切除,而此时器件的最大短路运行时间为系统保护装置提供了有力的时间支持。主要研究了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si C MOSFET)在短路条件下的运行能力,以Cree公司的1 200 V/19 A Si C MOSFET为模型,设计了硬件电路,测试其不同电压等级下的短路电流;并在直流电压等级为600 V的条件下,测试了不同栅极电压、不同温度工况下的短路电流。研究结果表明器件的短路峰值电流随着栅极电压的升高而增大,而其短路运行时间却大幅降低;温度对短路运行时间的影响则相对不甚明显;同时还给出了器件在不同工况下的最大短路运行时间Tsc(max)。
【作者单位】： 湖南大学电气与信息工程学院;
【关键词】： 短路测试 短路电流 短路能力
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51577054)~~
【分类号】：TN386
【正文快照】： 半导体技术的发展,一直是电力电子设备进步的决定性力量,传统硅基器件开关的结构设计和制造工艺已经日趋完善,甚至接近其材料本身所决定 的理论极限[1]。20世纪90年代后期,碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料的研发进展引起了半导体器件专家学者们的注意。与传统的硅材料相比,

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本文编号：796295