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湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究

发布时间:2017-09-06 18:30

  本文关键词:湿法刻蚀FI CD均一性的影响因素及提高刻蚀均一性的研究


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【摘要】:随着高分辨率产品导入,TFT-LCD阵列段各项参数范围越来越小,工艺要求更为严格,为了更好地管控湿法刻蚀各项参数,本文以湿法刻蚀FI CD(Final Inspection Critical Dimension)均一性的影响因素及如何提高FI CD均一性为目的进行研究。首先,通过对湿法刻蚀设备参数(主要包括刻蚀液温度、流量、压力、浓度、Nozzle Sliding、Oscillation Speed、刻蚀时间等)进行试验,验证各项参数对FI CD均一性的影响。其次,对沉积工序、曝光工序以及产品设计等进行试验,获悉影响因素并进行改善。通过对湿法刻蚀设备自身参数的调整,如减少设备温度、流量、压力波动,使参数保持相对稳定状态,可有效改善湿法刻蚀FI CD均一性,FI CD的均一性可从1.0降低至0.5。通过对湿法刻蚀设备参数进行试验并做相应调整,湿法刻蚀FI CD均一性改善效果显著。
【作者单位】: 北京京东方光电科技有限公司;
【关键词】TFT-LCD 湿法刻蚀 FI CD 均一性
【分类号】:TN305.7;TN873.93
【正文快照】: (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co.,Ltd,Beijing100176,China)1引言在TFT-LCD阵列制作工艺中,湿法刻蚀工艺因所使用的刻蚀液价格低廉,各向同性等优点被广泛应用。目前,在TFT-LCD行业中,湿法刻蚀主要使用的刻蚀液有AL刻蚀液和ITO刻蚀液。刻蚀液的作用是将适当浓度的

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本文编号:804751

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