焊接式IGBT模块与压接型IGBT器件可靠性差异分析

发布时间：2017-09-07 20:46

  本文关键词：焊接式IGBT模块与压接型IGBT器件可靠性差异分析

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【摘要】：功率半导体器件的可靠性是指在一定的条件下,器件所能执行一定功能的能力,是功率半导体器件最重要的考核指标。当前功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件封装形式主要有焊接和压接两种。焊接式IGBT模块成熟度较高,国内外对其可靠性有一定深入的研究。压接型IGBT器件因具有功率密度大、双面散热和易于串联等优点适用于高压大功率场合,其可靠性也得到越来越多的重视。首先对焊接式IGBT模块与压接型IGBT器件各自的封装形式和内部结构进行介绍。重点针对两种封装形式的失效模式进行了概括,并对不同的失效机理进行了深入分析。最后对两种封装形式IGBT的失效模式和失效机理进行讨论与总结。
【作者单位】： 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室;国家电网全球能源互联网研究院;
【关键词】： 焊接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块 压接型IGBT器件 可靠性 失效模式 失效机理
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51477048) 国家能源应用技术研究及工程示范项目(NY20150705) 国家电网公司科技项目(5455GB160006,5455DW150012) 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2016XS04)
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 0引言1982年H.W.Becke和Jr.C.F.Wheatley[1]在美国发明了绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipo-lar transistor,IGBT)。IGBT同时具有双极型器件的高电流密度和MOSFET的电压控制、高开关频率等特点[2],优势明显。随着IGBT器件的发展以及各方面技术的不断提高,其应用电压范围

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本文编号：809782