4英寸硅衬底GaN发光二极管

发布时间：2017-09-07 21:12

  本文关键词：4英寸硅衬底GaN发光二极管

  更多相关文章： 氮化镓 量子阱 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 喇曼光谱

【摘要】：采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射测试表征GaN外延层的应力以及外延层的晶体质量。GaN的喇曼谱峰为568.16 cm~(-1),表面受到的压应力为0.164 7 GPa,由于GaN外延层受到的压应力很小,说明插入Al GaN层之后外延层的应力已经释放。双晶衍射测试得出GaNω(002)的半高宽为320 arcsec。将此外延片制作成功率芯片,芯片尺寸为35 mil×35 mil(1 mil=2.54×10-3cm),封装为白光芯片后,在350 m A下流明效率达到161.1 lm/W,正向开启电压为3.095 V,显色指数为71。
【作者单位】： 中国电子科技集团公司第十三研究所;
【关键词】： 氮化镓 量子阱 发光二极管(LED) 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 喇曼光谱
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 0引言由于高亮度发光二极管(LED)具有高发光效率、节能、长寿命、响应速度快和不含汞等优越性能,LED最终将战胜节能灯和无极灯,成为照明市场的统治者。蓝光LED产业化使用的衬底主要包括蓝宝石、碳化硅和硅,这是目前产业化的三条技术路线,其中蓝宝石衬底是以日本日亚化学公司为

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