高压IGBT串联均压控制电路阈值电压设计方法

发布时间：2017-09-08 01:16

  本文关键词：高压IGBT串联均压控制电路阈值电压设计方法

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【摘要】：绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件具有耐压高、开关速度快、易驱动等优点,在电力电子变换器中应用广泛。然而目前单个IGBT器件的电压等级与容量不能满足大容量变换器的需求。应用高压IGBT串联技术是提升电力电子变换器电压等级与容量的一种有效方法。高压IGBT串联技术的关键问题是保证瞬态过程中的电压均衡。门极均压控制电路可以有效抑制串联IGBT的瞬态电压不均衡。该文介绍了一种门极均压控制电路的工作原理,综合考虑开关瞬态过程中换流回路杂散参数与续流二极管正向恢复特性的影响,提出了该电路的关键参数阈值电压的设计方法,可应用于多电平、多管串联的电力电子变换器系统中,并通过实验对该设计方法的实用性进行了验证。
【作者单位】： 电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室(清华大学电机系);
【关键词】： 均压控制电路 高压IGBT 串联 阈值电压 电压平衡
【分类号】：TM46;TN322.8
【正文快照】： 0引言绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolartransistor,IGBT)结合了功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effecttransistor,MOSFET)和双极型功率晶体管(bipolarjunction transistor,BJT)的优点,具有额定电压高、开关速度快、驱动简易等优

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本文编号：811016