采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

发布时间：2017-09-09 16:07

  本文关键词：采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计

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【摘要】：研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,在提高器件击穿电压BV的同时,降低了其导通电阻R_(DSon)。最终仿真得到的击穿电压BV为118 V,导通电阻R_(DSon)为23?·mm。
【作者单位】： 上海华力微电子有限公司;
【关键词】： RFLDMOS 击穿电压 导通电阻 RESURF 双层场板 仿真
【基金】：国家科技02重大专项项目资助(No.2012ZX02502)
【分类号】：TN386
【正文快照】： RFLDMOS(射频横向扩散金属氧化物半导体)器件是一种非常具有竞争力的功率器件,最初是用于替代基站的双极型晶体管[1-2]。其具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点[3-4],并且价格远低于砷化镓器件。此外,该

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3 张波;提高器件耐压的非均匀氧化层场板技术[J];半导体技术;1988年04期

4 张e，

本文编号：821417