高迁移率聚合物半导体材料最新进展

发布时间：2017-09-09 16:34

  本文关键词：高迁移率聚合物半导体材料最新进展

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【摘要】：自20世纪80年代以来,聚合物半导体材料及其薄膜场效应晶体管器件(OFETs)已取得系列突破性进展.目前,已有数百种聚合物半导体材料被成功应用于OFETs中,空穴迁移率值最高已达36.3 cm~2·V~(-1)·s~(-1),可与有机小分子半导体材料甚至可同无定形硅相媲美.综述了近年来国内外高迁移率聚合物半导体的最新进展.分类对比总结和评述了空穴传输型(p-型)、电子传输型(n-型)和双极传输型聚合物半导体材料,并对聚合物半导体材料分子设计思路、薄膜OFETs器件制备及其性能参数进行了重点阐述.同时,总结了聚合物半导体材料的分子结构、聚集态结构与OFETs器件性能之间的内在关系,为今后设计与合成综合性能优异的聚合物半导体材料提供一定理论指导.
【作者单位】： 环境友好化学与应用教育部重点实验室特种高分子材料湖南省重点实验室湘潭大学化学学院;
【关键词】： 有机场效应晶体管 聚合物半导体材料 高迁移率 空气稳定
【基金】：国家自然科学基金(No.51403177) 湖南省自然科学基金(No.2015JJ3122) 中国博士后基金(Nos.2015T80877,2014M552141) 湖南省科技厅(No.2015RS4025)资助项目~~
【分类号】：TN304;O631
【正文快照】： 有机共轭半导体是一类新型的半导体材料,它独特的光、电、磁等特性吸引了全球科学家的关注[1~4].早在20世纪初,Mccoy和Moore就预言:“人们有望合成出不含金属元素的有机金属导体”.1970年,Wudl等成功合成了四硫富瓦烯(TTF)类有机共轭电子给体.1973年,Ferraris等发现TTF给体与，

本文编号：821556