用于可见光通信的GaN基LED研究进展
本文关键词:用于可见光通信的GaN基LED研究进展
【摘要】:发光二极管(LED)的频率响应特性以及在大电流下的发光特性是其在可见光通信中应用的关键性能指标。对于GaN基的LED,减小InGaN/GaN多量子阱中的内建电场,增大空穴的注入,能有效提高大电流下的内量子效率,减弱在大电流情况下出现的效率下降。通过降低与结电容效应相关的RC时间常数以及载流子自发辐射复合寿命,可改善LED的频率响应特性,进一步提高LED的调制带宽。
【作者单位】: 华南理工大学电子与信息学院;
【关键词】: 发光二极管 频率响应 效率下降 可见光通信
【基金】:广东省重大科技专项(2014B010119002)
【分类号】:TN312.8;TN929.1
【正文快照】: 发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)经过一个多世纪的研究,从Si C与金属接触而制备的第一个LED,到以Ga As P材料为代表红光LED,再到用Al Ga In P获得的红、橙、黄光LED和现在作为热点研究的In Ga N/Ga N多量子阱蓝、紫光LED,其发光效率不断提升,发光光谱逐渐覆盖整个可见光
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