一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源

发布时间：2017-09-12 02:03

  本文关键词：一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源

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【摘要】：设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V MOS管与3.3V MOS管的阈值电压差进行温度补偿,使得输出电压具有超低温度系数。采用共源共栅电流镜以提高电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,在-30℃~125℃温度范围内,温漂系数为9.3×10-6/℃;电源电压为0.8~3.3V时,电压调整率为0.16%,电源电压抑制比为-58.2dB@100 Hz,电路功耗仅为109nW,芯片面积为0.01mm2。
【作者单位】： 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室;
【关键词】： 亚阈值区 超低功耗 低温漂 电源电压抑制比
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61161003,61264001,61166004) 广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019333) 广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(YJCXS201519)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 1引言随着集成电路制造技术的快速发展,专用集成电路(ASIC)越来越受到关注。可以预见,微瓦量级功耗的大规模集成电路的快速发展将给生物医学传感器、便携式移动设备、可植入式医疗设备、无线传感网络等下一代低功耗应用带来很大的发展。基准电压源作为ASIC的基础单元,要求具有

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本文编号：834394