ICPECVD制备氮化硅薄膜工艺的研究

发布时间：2017-09-12 00:29

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【摘要】：利用电感耦合等离子体化学气相沉积系统SENTECH SI 500 D以Si H_4和NH_3研究了在不同工艺条件下的氮化硅薄膜生长实验。而后利用台阶仪和椭圆偏振仪表征了薄膜的厚度、生长速率、均匀性和折射率等参数;并用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了薄膜表面形貌。实验结果表明:沉积温度和ICP功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率可以达到20 nm/min;NH_3流量是影响薄膜折射率的主要因素,其变化在1.85~2.35之间;沉积温度是影响薄膜表面形貌的关键因素。
【作者单位】： 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室电子测试技术国防科技重点实验室;
【关键词】： 氮化硅薄膜 ICPECVD 生长速率 折射率 表面形貌
【分类号】：TN304.055
【正文快照】： 0引言由于有着高绝缘性、致密性、漏电低、抗氧化、优良的机械性能、良好的稳定性、高介电常数和对杂质离子的掩蔽能力等物理性能,使得氮化硅在许多方面得到了很好的应用[1-2]。例如,在半导体器件和集成电路中,其可以作为钝化层、栅绝缘层、隔离层、支撑结构以及电容介质等[3-

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本文编号：834000