多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响

发布时间：2017-09-15 11:38

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【摘要】：硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。
【作者单位】： 北京有色金属研究总院有研半导体材料有限公司;
【关键词】： 重掺硅片 多晶硅吸杂 择优腐蚀 氧沉淀
【基金】：国家重大科技专项项目(2010ZX02302-001)资助
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 重掺直拉硅片是功率半导体器件的主要衬底材料,是解决电路中α粒子引起的软失效和闩锁效应的最有效办法之一[1-2]。电子器件制作过程中,有源区的金属杂质会影响器件电学性能和器件成品率,为了防止衬底硅片中的金属杂质沾污器件有源区,需要对衬底硅片进行吸杂处理[3]。多晶硅吸

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1 尹华琼,李全臻;GaAs衬底在H_2SO_4-H_2O_2-H_2O系中的择优腐蚀[J];半导体光电;1983年03期

2 高伟;庄婉如;谭叔明;;GaAs、GaAlAs晶片的化学择优腐蚀[J];半导体光电;1989年04期

3 邹子英,闵靖;硅片表面机械损伤层厚度的测试方法研究[J];上海计量测试;2000年06期

4 ;[J];;年期

，

本文编号：856304