低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源

发布时间：2017-09-15 18:32

  本文关键词：低温漂系数共源共栅CMOS带隙基准电压源

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【摘要】：设计了一种低温漂系数的共源共栅CMOS带隙基准源,采用自偏置共源共栅结构,提高了电路的电源抑制比,降低了电路的工作电源电压。采用不同温度下从输出支路抽取不同值电流的电路结构,在低温段抽取一个正温度系数电流,在高温段再注入一个较小值的正温度系数电流,达到降低温漂系数的目的。在0.5μm CMOS工艺下,Cadence Spectre电路仿真的结果表明,温度特性得到了较大改善,在-35℃~125℃温度范围内,带隙基准源的温漂系数为1.5×10~(-6)/℃,电源抑制比为65dB。
【作者单位】： 湘潭大学微电子科学与工程系;
【关键词】： 带隙基准电压源 共源共栅 低温漂系数 电流抽取
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61471310)
【分类号】：TN432
【正文快照】： 1引言带隙基准电压源作为基本参考源,为功能模块提供高精度的电压基准或者高精度的电流基准,广泛应用于A/D和D/A转换器、开关电源等电路中,其电压稳定性、温度特性、抗噪声能力等直接影响功能模块甚至系统的精度和性能。常用带隙基准电压源电路一般采用含有运算放大器的电路结

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本文编号：858219