IGBT模块杂散电感分析与仿真

发布时间：2017-09-19 20:06

  本文关键词：IGBT模块杂散电感分析与仿真

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【摘要】：杂散电感的存在会引起芯片关断损耗增大和过电压等现象,从而降低IGBT模块整体可靠性。通过分析IGBT模块工作回路杂散电感的分布并利用Ansoft Q3D Extractor对单独元件和模块整体进行仿真,发现模块的杂散电感主要来自于直流母排和导电铜层,虽然杂散电感随电路回路长度的增长而增加,但相对于回路长度,元件间的相对位置对杂散电感影响更大,通过元件的合理布局能显著降低模块整体的杂散电感。
【作者单位】： 新型功率半导体器件国家重点实验室;株洲中车时代电气股份有限公司;
【关键词】： IGBT模块 杂散电感 数字仿真 元件布局
【分类号】：TN322.8
【正文快照】： 0?引言IGBT是一种既具有双极型三极管通流能力强、饱和压降低等特点又具有MOSFET输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小等优点的全控型功率半导体器件[1-3],已逐渐成为大、中型电力电子变换装置中重要的组成部件。近年来,随着半导体技术的进步,IGBT的通流能力和耐压水平有了进一

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