GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计

发布时间：2017-09-19 18:22

  本文关键词：GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计

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【摘要】：GaN基LED的电流横向扩展导致电流分布不均匀的现象仍是目前亟待解决的难题,对于高压倒装LED更是如此。传统的LED工艺把负电极直接制作在n-GaN材料表面,而提出的优化结构是负电极内嵌于n-GaN材料。首先通过LED电流扩展的简单建模来探讨器件内部的电流分布情况,得出优化结构有利于改善芯片内部电流分布的理论推导。再进一步用SILVACO软件对优化结构和传统结构芯片内部电流分布进行了仿真对比,结果表明前者电流密度仅为后者的55%。最后制作了相关LED芯片样品进行热阻测试对比,实验表明优化结构芯片的结温和热阻较传统结构分别下降了13%和26%。可见芯片结构的优化设计方案是有效可行的。
【作者单位】： 深圳大学光电工程学院;
【关键词】： GaN基LED 电流扩展 结构优化 电流分布仿真 热阻测试
【基金】：广东省产学研资助项目(2011B090400400) 广东省前沿与关键技术创新专项资金资助项目(2014B010120004) 深圳市重大产业攻关资助项目(JSGG20140519105124218)
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 0引言Ga N及其化合物是用于研制光电子器件的第三代半导体材料,基于Ga N材料的LED器件是人类固态照明史上一个全新的里程碑,具有广阔的市场前景[1]。然而,由于衬底材料蓝宝石是绝缘的,目前Ga N基LED器件主要采取横向结构,这种结构的一个普遍而难以解决的问题是电流的横向扩展,

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1 肖刘;董玉和;苏小保;刘濮鲲;;螺旋带面电流分布研究[J];强激光与粒子束;2006年08期

2 刘毅;赵广才;李培咸;;GaN基LED电流分布的模拟[J];电子科技;2010年08期

3 汤玉生,郝跃;MOSFET栅电流分布的理论建模[J];电子学报;1999年10期

4 ;[J];;年期

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本文编号：883206