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离子色谱法检测高纯硅微粉中痕量铁和氧化铁杂质

发布时间:2017-09-20 03:41

  本文关键词:离子色谱法检测高纯硅微粉中痕量铁和氧化铁杂质


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【摘要】:建立了柱后衍生-紫外检测-离子色谱法同时测定高纯硅微粉中痕量铁和氧化铁杂质含量的方法。方法选用具有阴阳离子交换基团的高选择性Thermo Scientific DionexTMIo n PacTMCS5A色谱柱,选择与铁形成单一络合形态、中等络合能力的2,6-吡啶二羧酸(PDCA)为淋洗液,在线柱后添加普适性的4-2-吡啶偶氮苯二酚(PAR)金属显色剂,于530 nm波长下准确完成了二价和三价铁离子的分离测定。结果表明,本方法对二价铁离子和三价铁离子的检出限分别为0.013 mg/kg和0.006 mg/kg,线性相关系数r2均大于0.999,实际样品中二价铁和三价铁的加标回收率分别为79%~90%和92%~105%,具有较高的灵敏度、准确度和选择性。该方法可以准确测定高纯硅微粉中痕量二价铁和三价铁的含量,以此结果反馈高纯硅微粉产品中铁杂质含量的不同来源,为其生产工艺的持续优化和改进提供重要的参考数据。
【作者单位】: 四川省分析测试服务中心;四川大学分析测试中心;赛默飞世尔科技(中国)有限公司;四川赛纳斯分析检测有限公司;
【关键词】离子色谱法 柱后衍生 氧化铁 硅微粉
【基金】:四川省科技支撑计划项目(2015FZ0097)~~
【分类号】:TN304.12;O657.7
【正文快照】: *通讯联系人.Tel:(028)86782693,E-m ail:luo jin_sns@163.co m.3.四川大学分析测试中心,四川成都610023;4.四川赛纳斯分析检测有限公司,四川成都610023)在现代电子工业中,低电导率、高绝缘性、低磁性的封装材料成为制约超大规模集成电路发展的重要因素。以二氧化硅为主要成分

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